Nd: YVO4 Crystal
Nd: YVO4 (Neodymium-gedoteerd Yttrium-vanadaat) is een van de beste in de handel verkrijgbare materialen voor diode-gepompte halfgeleiderlasers, vooral voor lasers met een lage of gemiddelde vermogensdichtheid. Bijvoorbeeld Nd: YVO4 is een betere keuze dan Nd: YAG voor het genereren van laagvermogenstralen in handaanwijzers of andere compacte lasers. In deze toepassingen is Nd: YOV4 heeft een aantal voordelen ten opzichte van Nd: YAG, bv. hoge absorptie van gepompte laserstraling en grote gestimuleerde emissiedoorsnede.
Nd: YVO4 is een goede keuze voor sterk gepolariseerde output bij 1342 nm, omdat de emissielijn veel sterker is dan die van zijn alternatieven. Nd: YVO4 is in staat om te werken met een aantal niet-lineaire kristallen met een hoge NLO-coëfficiënt (LBO, BBO, KTP) om lichten te genereren van nabij-infrarood tot groen, blauw of zelfs UV.
Neem contact met ons op voor de beste oplossing voor uw toepassing van Nd: YVO4 Kristallen.
WISOPTIC-mogelijkheden - Nd: YVO4
• Verschillende opties voor Nd-dopingverhouding (0,1% ~ 3,0at%)
• Diverse maten (max diameter: 16 × 16 mm2; max lengte: 20 mm)
• Diverse coatings (AR, HR, HT)
• Hoge verwerkingsnauwkeurigheid
• Zeer scherpe prijs, snelle levering
WISOPTIC standaardspecificaties* - Nd: YVO4
| Dopingverhouding | Nd% = 0,2% ~ 3,0at% |
| Oriëntatietolerantie | +/- 0,5 ° |
| Opening | 1 × 1 mm2~ 16 × 16 mm2 |
| Lengte | 0,02 mm ~ 20 mm |
| Dimensietolerantie | (W ± 0,1 mm) × (H ± 0,1 mm) × (L + 0,5 / -0,1 mm) (L ≥ 2,5 mm) (W ± 0,1 mm) × (H ± 0,1 mm) × (L + 0,2 / -0,1 mm) (L <2,5 mm) |
| Vlakheid | <λ / 8 @ 632,8 nm (L≥2.5mm) <λ / 4 bij 632,8 nm (L <2,5 mm) |
| Oppervlaktekwaliteit | <20/10 [S / D] |
| Parallellisme | <20 " |
| Haaksheid | ≤ 5 ' |
| Afschuining | ≤ 0,2 mm bij 45 ° |
| Verzonden golffrontvervorming | <λ / 4 bij 632,8 nm |
| Diafragma wissen | > 90% centraal gebied |
| Coating | AR 1064 nm, R <0,1% & HT 808 nm, T> 95%; HR 1064 nm, R> 99,8% & HT 808 nm, T> 95%; HR @ 1064nm, R> 99,8%, HR @ 532 nm, R> 99% & HT @ 808 nm, T> 95% |
| Laserschade drempel | > 700 MW / cm2 voor 1064nm, 10ns, 10Hz (AR-gecoat) |
| * Producten met speciale eisen op aanvraag. | |
Voordelen van Nd: YVO4 (vergeleken met Nd: YAG)
• Bredere pompbandbreedte rond 808 nm (5 keer die van Nd: YAG)
• Grotere gestimuleerde emissiedoorsnede bij 1064 nm (3 keer die van Nd: YAG)
• Lagere drempel voor laserschade en hogere hellingsgraad
• Anders dan Nd: YAG, Nd: YVO4 is eenassig kristal dat lineair gepolariseerde emissie geeft, waardoor redundante thermisch geïnduceerde dubbele breking wordt vermeden.
Lasereigenschappen van Nd: YVO4 vs Nd: YAG
|
Kristal |
Doping （atm%） |
σ |
α (cm-1) |
τ (μs) |
Lα (mm) |
Pth (mW) |
ηs (%) |
|
Nd: YVO4 |
1.0 |
25 |
31.2 |
90 |
0,32 |
30 |
52 |
|
2.0 |
25 |
72.4 |
50 |
0,14 |
78 |
48.6 |
|
|
Nd: YVO4 |
1.1 |
7 |
9.2 |
90 |
- |
231 |
45.5 |
|
Nd: YAG |
0,85 |
6 |
7.1 |
230 |
1,41 |
115 |
38.6 |
| σ - gestimuleerde emissiedoorsnede, α - absorptiecoëfficiënt, τ - fluorescentielevensduur Lα - absorptielengte, Pth - drempelvermogen, ηs - pomp quantum efficiëntie |
|||||||
Fysieke eigenschappen - Nd: YVO4
| Atoomdichtheid | 1,26 x 1020 atomen / cm2 (Nd% = 1,0%) |
| Kristal structuur | Zirkoon tetragonaal, ruimtegroep D4u-I4 / amd a = b = 7,1193 Å, c = 6,2892 Å |
| Dichtheid | 4,22 g / cm2 |
| Mohs-hardheid | 4.6 ~ 5 (glasachtig) |
| Thermische uitzettingscoëfficiënt (300 K) | αeen= 4,43 x 10-6/ K, αc= 11,37x10-6/ K |
| Warmtegeleidingscoëfficiënt (300 K) | || c: 5,23 W / (m · K); ⊥c: 5,10 W / (m · K) |
| Smeltpunt | 1820 ℃ |
Optische eigenschappen - Nd: YVO4
| Lasgolflengte | 914 nm, 1064 nm, 1342 nm |
| Brekingsindexen | positief uniaxiaal, nO= neen= nb ne= nc nO= 1.9573, ne= 2.1652 @ 1064 nm nO= 1,9721, ne= 2.1858 @ 808 nm nO= 2.0210, ne= 2,2560 bij 532 nm |
| Thermische optische coëfficiënt (300 K) | dnO/dT=8.5x10-6/ K, dne/dT=3.0x10-6/ K |
| Gestimuleerde emissiedoorsnede | 25.0x10-19 cm2 @ 1064 nm |
| Fluorescerende levensduur | 90 μs (1,0at% Nd gedoteerd) @ 808 nm |
| Absorptiecoëfficiënt | 31,4 cm-1 @ 808 nm |
| Absorptielengte | 0,32 mm bij 808 nm |
| Intrinsiek verlies | 0,02 cm-1 @ 1064 nm |
| Win bandbreedte | 0,96 nm (257 GHz) @ 1064 nm |
| Gepolariseerde laseremissie | parallel aan optische as (c-as) |
| Diode pompte optische naar optische efficiëntie | > 60% |
|
Gepolariseerde emissie |
Gepolariseerd |
